穆武第
,
程海峰
,
唐耿平
,
陈朝晖
材料导报
通过射频磁控溅射并控制溅射时间在玻璃基底上沉积了不同厚度和成分的p型Bi2Te3薄膜.Bi2Te3薄膜主要以(221)晶面平行于基底进行生长,先在基底形成大量微小晶粒,合并长大成典型的纤维状组织结构;退火后薄膜沿平面方向形成片状结构.薄膜的电导率和Seebeck系数受薄膜厚度和成分的影响,退火前受薄膜厚度的影响较大,退火后受薄膜成分和均匀性的影响较大,自掺杂Bi质量分数在5%左右时,薄膜功率因子约为760μW/(K2·m).
关键词:
射频磁控溅射
,
p-Bi2Te3
,
电导率
,
Seebeck系数
谢宇
,
蒋丰兴
,
徐景坤
功能材料
聚(3,4-二氧乙撑噻吩)(PEDOT)以其独特的热稳定性和较高的电导率而引起了广泛关注.首次系统研究了导电PEDOT的热电性能,主要包括电导率、Seebeck系数和热导率,详细比较了化学和电化学方法制备的PEDOT样品在热电性能上的差异.结果表明PEDOT的热电优值最大可以达到1.87×10~(-3)(T=270K),且在相同条件下,PEDOT的热电性能要高出其它有机高分子材料大概一个数量级,而且PEDOT的热电性能依然存在较大的提高潜力.
关键词:
聚(3,4-二氧乙撑噻吩)
,
导电高分子
,
热电性能
,
热电优值
,
Seebeck系数
郅惠博
,
李洪涛
,
王涛
,
吴益文
,
王彪
,
陈杰
,
徐杰
,
李蒙
,
季诚昌
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.16.022
为提高热电材料塞贝克系数的测试准确度,主要以康铜合金和钴酸钙为测试对象进行了一系列测试,其中以典型的碲化铋、方钴矿、硒化铅块体热电材料为辅助研究对象,具体研究测温热电偶的塞贝克效应、温差设置、数据处理方式对塞贝克系数测试结果的影响.结果表明:热电偶的塞贝克效应对Seebeck系数测试准确度的影响是显著的;样品两端温差设为10K以上,多组温差间的梯度设为3K以上,直线拟合方式采用不过原点拟合,可以使Seebeck系数测试结果的准确度得到很大提高.
关键词:
热电材料
,
塞贝克系数
,
测试
,
影响因素
朱林乐
,
苏金瑞
,
侯林森
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.16.021
采用固相反应法,在常压空气中烧结制备出了(Ca1-x-yAgxLay)3Co4O9(x=0、0.1,y=0;x=0.1,y=0.02、0.04、0.06)系列块体样品;通过X射线衍射和扫描电镜对样品的物相组成和微观结构进行了表征;研究了Ag、La双掺杂对样品热电性能参数Seebeck系数、电阻率和热导率的影响.结果表明,双掺杂可以进一步提高材料热电性能,且掺杂浓度的选择对热电性能有较大的影响;在873 K时,x=0.1,y=0.02样品的ZT值最大.
关键词:
掺杂
,
Seebeck系数
,
电阻率
,
热导率
宋贵宏
,
柳晓彤
,
孟雪
,
王亚明
,
陈立佳
,
贺春林
人工晶体学报
利用高真空磁控溅射设备并顺序沉积Cr、Ti和Si层并随后在500℃真空退火6h,在Si(100)衬底上,获得不同Ti掺杂量的CrSi2薄膜.场发射扫描电镜观察表面形貌显示,沉积薄膜具有7～8 nm的晶粒且尺寸比较均匀,Ti含量增加,晶粒尺寸略有增加;X射线衍射谱显示沉积薄膜具有单一CrSi2点阵(111)晶面择优取向,在1.16at％到1.74at％的Ti含量范围内,随Ti含量的增加,CrSi2纳米薄膜的(111)择优取向的程度下降,同时,Ti含量增加,薄膜CrSi2点阵常数增加,这表明Ti在CrSi2晶体中以替位形式存在.随着Ti含量增加,沉积薄膜的霍尔系数降低,空穴浓度增加,同时薄膜空穴载流子的迁移率和Seebeck系数单调下降;受空穴浓度增加和迁移率降低的影响,随Ti含量增加,沉积薄膜电导率和功率因子呈现先增加达到最大值后又下降的趋势.
关键词:
CrSi2薄膜
,
电导率
,
迁移率
,
Seebeck系数
胡春飞
,
吴刚
,
陈红征
,
汪茫
材料科学与工程学报
采用固相反应法制备了Na0.7CoO2和Na0.7Co1-xFexO2（x=0.03,0.07,0.10）。X射线衍射显示Fe部分取代Co掺入了Na0.7CoO2的晶格中,Fe的掺入使晶胞参数c变大。电学性能测试表明,Fe的掺杂使电导率σ随温度的变化趋势发生了改变,并且使电导率降低。Fe的掺杂使Seebeck系数α有一定的提高,但其变化幅度较电导率低。功率因子α2σ的计算结果表明Fe的掺杂引起了材料功率因子的降低。
关键词:
Na0.7CoO2
,
电导率
,
Seebeck系数
,
掺杂
汪韧
,
刘玉梅
,
何少云
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.027
通过控制不同梯度的电流密度和电沉积时间,利用电化学方法在铜片上沉积Bi/Te薄膜,经不同温度退火处理后生成Bi2Te3;采用SEM(带EDS)和XRD对薄膜的形貌、成分进行分析,研究了电流密度和电沉积时间对晶粒成长的影响,并对用Bi2 Te3薄膜制成发电器件的性能进行了研究.结果表明:电流密度越大,Bi2Te3晶粒尺寸越小;电沉积的时间越长,Bi2Te3薄膜越均匀;退火过程中350℃结晶效果最好;退火后可以形成多晶薄膜,颗粒致密均匀,具有一定择优取向性,还可以提高Seebeck系数,达到-123μV/K;对比传统块状粒子发电,电化学沉积制备的Bi2Te3薄膜发电器件更具有优势.
关键词:
Bi2Te3薄膜
,
电化学沉积
,
退火
,
塞贝克系数
朱建军
,
李震
,
张兴
工程热物理学报
基于直流瞬态Harman法测量热电器件优值系数原理,搭建热电器件综合性能表征实验系统,实现同时测量热电器件无量纲优值系数(ZT值)、Seebeck系数、电导率以及热导率,并通过Labview编程完成对实验系统的控制、数据采集、实时显示和处理.制作并改进具有夹层结构的热电器件,对此开展了性能测试评估.实验结果表明,室温下夹层结构热电器件ZT值小于常规Bi2 Te3器件,但Seebeck系数比常规器件大;夹层结构器件电导率和热导率均大于常规器件值.
关键词:
热电转换
,
优值系数
,
Harman法
,
Seebeck系数
宋贵宏
,
孟雪
,
杨明川
,
胡方
,
乔瑞庆
,
陈立佳
人工晶体学报
利用粉末冷压成型及真空烧结制备了不同Bi掺杂量的Mg-Si-Sn-Bi材料,并对制备材料组成和热电性能进行研究.结果表明,制备材料由Mg2Sn、Mg2Si和Mg2(Si,Sn)固溶体相组成.随测试温度的增加,制备材料的电阻率都急剧减小,这是典型的半导体特征.在研究范围内,掺杂Bi元素含量增加,制备材料的电阻率开始逐渐减小,但Bi掺杂量增加到一定值后,材料的电阻率又增加,而且掺杂后的材料电阻率都低于未掺杂的.制备材料的Seebeck系数是负值,表明这些材料都为n型半导体.对于掺杂Bi的材料,随着测试温度由室温增加到730 K,测得的Seebeck系数绝对值开始时轻微增加,约在240～270 K达到最大值,再随着温度增加,Seebeck系数绝对值又显著单调减小.对于掺杂Bi元素的材料,随Bi掺杂量的增加,Seebeck系数的绝对值先减少后增加,这是掺杂造成载流子浓度增加和散射过程加大相互竞争的结果.掺杂Bi的Mg-Si-Sn材料的功率因子都高于未掺杂的材料,且Bi掺杂量增加,制备材料的功率因子显著增加.对于1.29at％ Bi和1.63at％ Bi掺杂量的材料,功率因子分别在500 K和530 K存在一个极大值.
关键词:
Mg-Si-Sn材料
,
Bi掺杂
,
Seebeck系数
,
电阻率
,
真空烧结
